奇夢達 推出30奈米製程技術

【經濟日報╱記者何易霖／台北報導】 2008.02.27 03:52 am

德國DRAM大廠奇夢達（Qimonda）昨（26）日宣布，完成可用至30奈米世代的先進DRAM製程技術「Buried Wordline」，將在明年下半年採用46奈米的新技術量產。在目前DRAM業剛從90轉進至70奈米的當下，奇夢達是第一家宣布30奈米世代技術藍圖的DRAM業者。 奇夢達現階段採用與主流堆疊式（Stack）不同的溝槽式（Trench）技術發展DRAM製程，但溝槽式技術礙於物理極限，其技術延伸性一直受到質疑。隨奇夢達發展出可應用至30奈米的新技術，為溝槽式DRAM陣營技術延伸找到新出口。 目前台灣DRAM廠中，共有華亞科（3474）、南科（2408）、華邦電（2342）與奇夢達有合作關係，同屬溝槽式DRAM陣營的一員，目前與奇夢達的合作關係都在58奈米。對於之後何時開始採用新技術，華亞科與華邦電昨天均表示「尚在評估中」。 奇夢達表示，Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸的特性，可應用至30奈米，目前奇夢達已推出此尖端技術的65奈米製程，計畫在今年下半年開始生產1Gb DDRII產品，目標在明年下半年開始量產46奈米Buried Wordline DRAM技術。 奇夢達指出，與58奈米溝槽式技術相比，46奈米的Buried Wordline DRAM技術會提供每晶圓超過兩倍以上的位元。奇夢達規劃，將在2009及2010會計年度，利用自有資金來做為製程轉換的投資，估計這項一次性約1億歐元的投資，將運用於轉換現有的溝槽產能至Buried Wordline技術。 【2008/02/27 經濟日報】@